电荷噪声导致的硅自旋量子比特退相干
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
硅量子点中的自旋量子比特可以具有较长的相干时间，然而它们的操控依赖于交换相互作用，通过该相互作用，电荷噪声可以诱导退相干。硅异质结构界面附近的电荷陷阱导致量子点约束势和势垒势的涨落，从而引起门控误差和双自旋退相干。我们使用一个现实的噪声模型量化了硅双量子点中的这些效应。具体来说，我们同时考虑了来自少数陷阱的随机电报噪声（适用于在亚微米晶圆上生长的量子点）和来自许多陷阱的1/f噪声（适用于适合量子点阵列的较大晶圆）。我们给出了单自旋量子比特架构的门控误差以及单重态-三重态量子比特中退相干的估计值。
引用
@article{arxiv.0906.4555,
title = {Dephasing of Si spin qubits due to charge noise},
author = {Dimitrie Culcer and Xuedong Hu and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.4555},
year = {2015}
}