电荷和自旋缺陷导致的硅单重态 - 三重态量子比特退相干
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1
摘要
我们研究了电荷和自旋噪声对硅量子点中单重态 - 三重态量子比特的影响。我们建立了一个理论框架，旨在使实验能够有效地识别最具破坏性的缺陷，并结合数十年工业和学术工作中获得的缺陷知识加以补充。我们将各类缺陷引起的退相干率 与实验可测参数联系起来，如电荷偶极矩、自旋偶极矩和涨落子切换时间。我们发现，电荷涨落子在引起退相干方面比自旋涨落子更有效。
引用
@article{arxiv.1306.4428,
title = {Dephasing of Si singlet-triplet qubits due to charge and spin defects},
author = {Dimitrie Culcer and Neil M. Zimmerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.4428},
year = {2015}
}