Si/SiGe量子点中单个电荷涨落子的表征
介观与纳米尺度物理
2024-12-13 v2 量子物理
摘要
硅量子点中的电子自旋因其长相干时间、可扩展性以及与先进半导体技术的兼容性而成为优秀的量子比特。尽管自旋量子比特可以实现高门保真度，但半导体环境中的电荷噪声仍然阻碍着其进一步改进。尽管电荷噪声至关重要，但关于导致电荷噪声的涨落子具体性质的关键问题仍未得到解答。在此，我们通过简单的量子点输运测量以及基于阿伦方差和阶乘隐马尔可夫模型的分析，探测了Si/SiGe量子点中的单个两能级涨落子（TLF）。我们发现，TLF的切换时间敏感地依赖于栅极电压，随温度升高而缩短，并且依赖于通过邻近量子点的电流。针对我们研究的主要TLF数据所建立的模型表明，它可能是一个位于 plunger 栅电极附近的双稳态电荷偶极子，受到通过传感量子点的电流加热，并且其状态跃迁并非由直接的电子-声子耦合驱动，而是通过某种其他机制，例如与通过传感量子点的电子耦合。
引用
@article{arxiv.2401.14541,
title = {Characterization of individual charge fluctuators in Si/SiGe quantum dots},
author = {Feiyang Ye and Ammar Ellaboudy and Dylan Albrecht and Rohith Vudatha and N. Tobias Jacobson and John M. Nichol},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.14541},
year = {2024}
}