相互作用的二能级缺陷作为超导电路中高频涨落噪声的来源
介观与纳米尺度物理
2015-08-04 v2 量子物理
摘要
自最早的实验以来，超导电路一直受到与环境噪声强耦合的影响，破坏了量子相干性并降低了性能。在最先进的实验中，发现超导量子比特的弛豫时间随时间波动。我们展示了在 3D-Transmon 电路中对此类波动的测量，并基于器件材料缺陷产生的背景二能级系统 (TLS) 浴内的相互作用，开发了一个定性模型。在我们的模型中，作用于量子比特的随时间变化的噪声密度源于其与高频 TLS 的近共振耦合，而这些高频 TLS 由于与低频热涨落 TLS 的相互作用而经历能量涨落。我们通过提供在相位量子比特电路中单个 TLS 观察到的此类能量涨落的实验证据来支持该模型。
引用
@article{arxiv.1503.01637,
title = {Interacting two-level defects as sources of fluctuating high-frequency noise in superconducting circuits},
author = {Clemens Müller and Jürgen Lisenfeld and Alexander Shnirman and Stefano Poletto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.01637},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 7 figures, as published