影响 Si/SiGe 结构中量子点的 1/f 电荷噪声模拟

由于相干自旋控制所需的磁场梯度的存在，硅量子点中单电子自旋量子比特的退相干通常由 $1/f$ 电荷噪声主导。我们从理论上研究了实际 Si/SiGe 结构中栅控量子点内电子基态能量的涨落。我们假设电荷噪声是由半导体-氧化物界面处 trapped 电荷的运动引起的。我们考虑了实际的 trapped 电荷密度范围 $\rho \! \sim \! 10^{10}$ cm$^{-2}$，以及这些电荷各向同性分布位移的典型长度尺度 $\delta r \! \leq \! 1$ nm，并确定了使噪声谱的幅度和形状与近期在类似结构上的实验中重建的谱良好吻合的 $(\rho,\delta r)$ 对。