SQUID和量子比特中1/f磁通噪声的模型
超导电性
2009-11-13 v2 量子物理
摘要
我们提出了超导器件中1/f磁通噪声的模型（f为频率）。噪声由缺陷态中电子的磁矩产生，这些电子在逃逸前会占据这些缺陷态一段很宽的时间分布。被俘获的电子占据两个Kramers简并基态之一，在低温下它们之间的跃迁速率可以忽略不计。因此，磁矩方向被锁定。对密度为5*10^17 m^-2的随机取向缺陷产生的噪声进行模拟，得到的1/f噪声幅度与实验吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702025,
title = {Model for l/f Flux Noise in SQUIDs and Qubits},
author = {Roger H. Koch and David P. DiVincenzo and John Clarke},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702025},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 4 figures; v2: Various minor changes. Physical Review Letters, in press