SiO$_2$表面氧缺陷中心引起的磁涨落
材料科学
2014-03-05 v1
摘要
通过第一性原理计算，研究了α-石英表面氧缺陷中心的磁稳定性，以理解它们在非晶二氧化硅衬底上制备的超导量子比特（SQs）和超导量子干涉器件（SQUIDs）中对磁通噪声的贡献。衬底上的磁缺陷很可能是困扰这些系统的部分1/f噪声的来源。与三配位Si原子相关的悬挂键允许自旋向上和向下通道之间的电子密度转移，从而导致低能磁态。这种欠配位的Si缺陷在化学计量和缺氧的二氧化硅及石英中都很常见，是SQs和SQUIDs中磁通涨落的一个可能来源。
引用
@article{arxiv.1403.0685,
title = {Magnetic fluctuation from oxygen deficiency centers on the SiO$_2$ surface},
author = {Nicole Adelstein and Donghwa Lee and Jonathan L. DuBois and Vincenzo Lordi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.0685},
year = {2014}
}