通量量子比特耦合至电子电路的退相干
超导电性
2015-06-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在固体量子计算的道路上,克服退相干是核心问题。本文贡献中,我们讨论了超导通量量子比特耦合至耗散性电子电路的退相干建模。我们讨论了其对单量子比特退相干速率以及两量子比特门性能的影响。这些结果可用于设计退相干最优的装置。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305349,
title = {Decoherence of Flux Qubits Coupled to Electronic Circuits},
author = {F. K. Wilhelm and M. J. Storcz and C. H. van der Wal and C. J. P. M. Harmans and J. E. Mooij},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305349},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 5 figures, to appear in Advances in Solid State Physics, Vol. 43 (2003)