耦合横向量子点电荷量子比特中的本征声子退相干与量子门
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 量子物理
摘要
Hayashi 等人 [Phys. Rev. Lett. 91, 226804 (2003)] 近期的实验证明了横向定义的量子点中电荷量子比特的相干振荡。我们研究了下一步的系统：两个耦合电荷量子比特系统的本征电子-声子退相干及门操作性能。该有效退相干模型包含局域退相干和集体退相干的性质。退相干通道可通过其多极矩进行分类，从而产生不同的低能谱。研究表明，由于超 Ohm 谱的存在，门质量受限于单量子比特 Hadamard 门。通过使用具有弱隧穿耦合的双量子点，门质量可以得到显著改善。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507178,
title = {Intrinsic phonon decoherence and quantum gates in coupled lateral quantum dot charge qubits},
author = {Markus J. Storcz and Udo Hartmann and Sigmund Kohler and Frank K. Wilhelm},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507178},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 7 figures