半导体量子比特的最优量子门
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们采用最优控制理论来设计受退相干影响的固态量子比特的优化量子门。以栅极控制的半导体量子点分子为例，我们证明了由声子耦合引起的退相干可以被强烈抑制。我们的结果表明，在固体中存在更广泛的一类量子控制策略。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701323,
title = {Optimal quantum gates for semiconductor qubits},
author = {Ulrich Hohenester},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701323},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures