门控 GaAs 三量子点中由非遍历噪声引起的量子退相干
介观与纳米尺度物理
2016-01-28 v2
摘要
我们提取了由门控 GaAs 三量子点中单态和三重态电子态定义的量子比特的相位相干性，测量时间尺度远短于环境噪声的去相关时间。在此非遍历体系中，我们观察到相干性得到增强，并且根据相位稳定性提取方式的不同，出现了若干个退相干时间。我们阐明了它们的相互关系，并证明它们反映了噪声的短时间动力学。
引用
@article{arxiv.1512.08832,
title = {Quantum dephasing in a gated GaAs triple quantum dot due to nonergodic noise},
author = {M. R. Delbecq and T. Nakajima and P. Stano and T. Otsuka and S. Amaha and J. Yoneda and K. Takeda and G. Allison and A. Ludwig and A. D. Wieck and S. Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.08832},
year = {2016}
}
备注
revised version. main text: 5 pages, 4 figures; supplementary material: 8 pages, 4 figures