面向经典纠错量子存储的现实化 GaAs 自旋量子比特器件
量子物理
2020-08-26 v1
摘要
基于数值优化的真实器件门和参数,我们研究了相位翻转(重复)码在承载单态-三重态量子比特的砷化镓(GaAs)量子点线性阵列上的性能。我们首先使用电路级和唯象噪声的简单误差模型检验该码的预期性能,例如报告了约 3% 的电路级去极化噪声阈值。然后,我们使用最大似然和最小权重匹配解码器进行密度矩阵模拟,以研究真实器件退相干、读出误差、准静态以及快速门噪声的影响。考虑到在测量时间内量子比特读出误差与退相干时间(T2)之间的权衡,我们确定了相位翻转码的一个位于实验可达范围内的阈值下区域。
引用
@article{arxiv.2002.05136,
title = {Towards a realistic GaAs-spin qubit device for a classical error-corrected quantum memory},
author = {Manuel Rispler and Pascal Cerfontaine and Veit Langrock and Barbara M. Terhal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.05136},
year = {2020}
}
备注
22 pages