Si/SiGe 2DEG 中具有肖克比栅极的量子点
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v2
摘要
我们报告了在肖克比栅极掺控的硅/硅锗二维电子气（2DEG）中制造和表征量子点器件。这些量子点在刻蚀定义的通道内进行横向约束，其势能由通道内的刻蚀定义 2DEG 栅极加以调制。首次在该材料中使用肖克比顶栅来定义和调节量子点的隧穿势垒。通过最小化栅极的有效面积来降低栅极的漏电流。通过增加通道的刻蚀深度进一步抑制漏电流。所用的顶栅将量子点置于库仑阻塞态，并观察到随着侧栅电压变化而出现的电导振荡。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508107,
title = {Quantum dots in Si/SiGe 2DEGs with Schottky top-gated leads},
author = {K A Slinker and K L M Lewis and C C Haselby and S Goswami and L J Klein and J O Chu and S N Coppersmith and Robert Joynt and R H Blick and Mark Friesen and M A Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508107},
year = {2015}
}
备注
New Fig. 1, submitted to New Journal of Physics