本征硅中的耗尽型量子点
介观与纳米尺度物理
2018-02-06 v5
摘要
我们报道了本征硅中二维空穴气（2DHG）内耗尽型量子点的制备与电学表征。我们利用 SiO/AlO 介质叠层中的固定电荷在 Si/SiO 界面诱导出 2DHG。栅极结构的制备通过单层金属化工艺完成。输运谱学揭示了规则的库仑振荡，其充电能在少空穴与多空穴区域分别为 10-15 meV 和 3-5 meV。这种耗尽型设计避免了需要精密对准的复杂多层架构，并可直接采用已在其他材料系统中为耗尽型量子点发展的最佳实践。我们还展示了一种利用深紫外光去激活 SiO/AlO 介质叠层中固定电荷的方法，该方法可能成为避免硅 MOS 量子比特中不希望出现的 2DHG 积累的重要步骤。
引用
@article{arxiv.1709.07361,
title = {Depletion-mode Quantum Dots in Intrinsic Silicon},
author = {Sergey V. Amitonov and Paul C. Spruijtenburg and Max W. S. Vervoort and Wilfred G. van der Wiel and Floris A. Zwanenburg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.07361},
year = {2018}
}
备注
Accepted to Applied Physics Letters. 5 pages, 3 figures