InSb二维电子气的栅极耗尽
介观与纳米尺度物理
2013-09-19 v1 材料科学
摘要
我们研究了通过原子层沉积在Al0.1In0.9Sb或InSb表面层上形成的Al2O3栅介质对限制在InSb量子阱中的二维电子气(2DEG)的栅极控制。与InSb相比，Al0.1In0.9Sb的带隙更宽，导致在具有Al0.1In0.9Sb表面层的结构中，2DEG密度对栅极偏压的响应呈线性、陡峭且无滞后。相反，在具有InSb表面层的结构中，观察到非线性、缓慢且具有滞后（类似非易失性存储器）的响应。通过施加小的栅极电压(-0.9 V)，具有Al0.1In0.9Sb表面层的2DEG被完全耗尽。
引用
@article{arxiv.1309.4626,
title = {Gate depletion of an InSb two-dimensional electron gas},
author = {M. M. Uddin and H. W. Liu and K. F. Yang and K. Nagase and K. Sekine and C. K. Gaspe and T. D. Mishima and M. B. Santos and Y. Hirayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.4626},
year = {2013}
}
备注
12 pages, 3 figures