高迁移率 InAs 变构异质结构的栅控特性

我们研究了在高迁移率 InAs 变构异质结构上制造的栅控器件的性能。我们发现，覆盖有 In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As 的异质结构常表现出平行导电迹象，这是由于其表面费米能级接近导带底所致。在此，我们引入了一种技术，可用于估算这种表面电荷密度，该技术涉及在栅极偏压下从室温冷却。我们已能够在高正偏压下消除平行导电，但实现完全耗尽已被证明是困难的。我们发现，通过使用 In$_{0.75}$Al$_{0.25}$As 作为势垒层而不使用 In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As 覆盖层，可以大幅减少平行导电。我们的研究表明，这并不会显著改变量子阱的输运性质。我们在 InAlAs 覆盖的异质结构中实现了完全耗尽，其栅控响应无迟滞，适用于制造栅控介观器件。