InAs/GaSb 异质结构中栅极调控的半金属-拓扑绝缘体转变
介观与纳米尺度物理
2016-10-31 v1
摘要
我们报道了半金属性 InAs/GaSb 异质结构向拓扑绝缘体的栅极调控转变。该转变通过前后栅极电压降低能带反转程度而诱发。纵向电阻峰的温度依赖性显示了随着栅电场增加体区中能隙的打开。利用双锁相技术进行的非局域电阻测量证实了体导电的抑制和向拓扑绝缘体的转变，该技术使我们能够在不受时变电阻涨落影响的情况下，严格比较样品中不同电流路径的电压分布。
引用
@article{arxiv.1506.05971,
title = {Gate-controlled semimetal-topological insulator transition in an InAs/GaSb heterostructure},
author = {Kyoichi Suzuki and Yuichi Harada and Koji Onomitsu and Koji Muraki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.05971},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 6 figures