Zintl化合物Ba2X (X=Si, Ge)中的拓扑半金属-绝缘体量子相变
介观与纳米尺度物理
2016-10-18 v1
摘要
通过第一性原理计算，我们发现Ba2X (X=Si, Ge)在kx=0平面内具有一个节环的拓扑半金属相，该相在忽略自旋轨道耦合(SOC)时由滑移镜面对称性保护。相应的鼓面状表面平带在表面格林函数计算中出现于(100)表面。此外，发现了拓扑半金属-绝缘体相变(TSMIT)。当开启SOC时，节线半金属将演化为拓扑绝缘体。拓扑保护的金属表面态出现在Gamma=0点附近，并可通过超过3%的静水应变调控为拓扑平庸绝缘态。这些结果揭示了一类新型材料，展示了拓扑半金属与绝缘体之间的量子相变，以及通过弹性应变工程实现的可调控性。
引用
@article{arxiv.1610.05128,
title = {Topological Semimetal-Insulator Quantum Phase Transition in Zintl Compounds Ba2X (X=Si, Ge)},
author = {Ziming Zhu and Mingda Li and Ju Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05128},
year = {2016}
}
备注
14 pages. 4 figures