层状 XIn$_2$P$_2$ (X = Ca, Sr) 中的拓扑相变
材料科学
2025-11-04 v1
摘要
基于全相对论第一性原理计算，我们研究了层状 XInP (X = Ca, Sr) 的拓扑性质。在不考虑 SOC 的情况下，应变可引起能带反转，在 k = 0 平面内形成一个节点环，该节点环受时间反演对称性和镜面反射对称性的共存保护。考虑 SOC 后，沿节线打开了一个显著的带隙，线节点半金属将演化为拓扑绝缘体。这些结果揭示了一类通过可调弹性应变工程实现从平庸半导体到拓扑非平庸绝缘体量子相变的材料。我们的研究为应变下拓扑线节点半金属的形成提供了新视角。
引用
@article{arxiv.1706.03970,
title = {Topological Phase Transition in Layered XIn$_2$P$_2$ (X = Ca, Sr)},
author = {Zhenwei Wang and Guangtao Wang and Xianbiao Shi and Dongyang Wang and Xin Tian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.03970},
year = {2025}
}