应变诱导的第五族二元化合物单层蜂窝结构中的拓扑相变
材料科学
2015-12-11 v1
摘要
我们展示了一类第五族二元化合物的二维蜂窝结构的电子结构的第一性原理计算。我们的结果表明，这些新型二维材料是稳定的半导体，具有直接或间接带隙。带隙可以通过施加晶格应变来调节。在其可拉伸范围内，随着应变从负值（压缩）增加到正值（拉伸），它们都表现出金属-间接带隙半导体-直接带隙半导体-拓扑绝缘体（TI）的转变。拓扑相变源于晶格应变导致的点处的能带反转，与自旋轨道耦合（SOC）无关。
引用
@article{arxiv.1507.06068,
title = {Strain induced topological phase transitions in monolayer honeycomb structures of group-V binary compounds},
author = {Yaozhuang Nie and Mavlanjan Rahman and Daowei Wang and Can Wang and Guanghua Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06068},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 6 figures