可调应变孤子网络在范德瓦耳斯材料中限域电子
介观与纳米尺度物理
2020-07-14 v1
摘要
将范德瓦耳斯层相互滑动和扭转会产生具有涌现电子性质的莫尔结构。当莫尔结构在原子尺度上平滑时，这些莫尔结构中的电子感受到的弱势通常处于数十毫电子伏特范围。在此，我们报道一种简便技术，通过在范德瓦耳斯双层中基于应变的莫尔工程来实现深且确定性的俘获势。我们使用弹性扫描隧道显微镜表明，单轴应变驱动多层 MoSe 体系发生公度-非公度晶格转变。在非公度态中，顶层单分子层通过拓扑孤子的自发形成而从块体中部分脱离，应力在此处得到释放。相交的孤子形成蜂窝状网络，这源于层间粘附势的三重对称性。蜂窝网络的顶点以具有不同层间堆垛排列的束缚对形式出现。发现该对中的一个顶点是电子的高效陷阱，显示出两个深深限制在半导体带隙内且空间范围为 2 nm 的状态。因此，蜂窝孤子网络提供了一条独特路径，可在无需向宿主材料中引入化学缺陷的情况下，工程化制备具有依赖于应变的 tunable 空间分离的 identical 深限域态阵列。
引用
@article{arxiv.1910.14231,
title = {Tunable strain soliton networks confine electrons in Van der Waals materials},
author = {Drew Edelberg and Hemant Kumar and Vivek Shenoy and Héctor Ochoa and Abhay N. Pasupathy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.14231},
year = {2020}
}
备注
4 figures + supplementary material