范德瓦耳斯异质结构中的莫尔激子
介观与纳米尺度物理
2019-06-19 v1
摘要
在由两层单层半导体堆叠形成的范德瓦耳斯（vdW）异质结构中，晶格失配或旋转错位会引入面内莫尔超晶格。尽管人们广泛认识到莫尔超晶格可调制电子能带结构并导致新颖输运性质（包括由关联驱动的非传统超导与绝缘行为），但其对光学性质的影响尚未经实验研究。我们给出光谱证据：在具有小旋转扭角的高质量 MoSe2/WSe2 异双层中，层间激子被莫尔势所限域。在光致发光中观察到一系列具有正或负圆偏振发射的层间激子共振，与限域于莫尔势内的多个激子态一致。这些层间激子共振的复合动力学与温度依赖也支持该解释。这些结果证明了利用 vdW 异质结构工程化人工激子晶体以用于纳米光子学与量子信息应用的可行性。
引用
@article{arxiv.1807.03771,
title = {Moir\'e Excitons in Van der Waals Heterostructures},
author = {Kha Tran and Galan Moody and Fengcheng Wu and Xiaobo Lu and Junho Choi and Akshay Singh and Jacob Embley and André Zepeda and Marshall Campbell and Kyounghwan Kim and Amritesh Rai and Travis Autry and Daniel A. Sanchez and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Nanshu Lu and Sanjay K. Banerjee and Emanuel Tutuc and Li Yang and Allan H. MacDonald and Kevin L. Silverman and Xiaoqin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.03771},
year = {2019}
}