二维二碲化铂中应变诱导的拓扑相变
材料科学
2021-07-01 v1
摘要
拓扑相变是凝聚态物理与计算材料科学中的热点课题。在此，我们利用密度泛函理论研究了二维（2D）二碲化铂（）的电子结构与声子色散。研究发现单层为具有0.347 eV间接带隙的平庸绝缘体。基于宇称分析，双轴拉伸应变可驱动拓扑相变。当应变达到19.3%时，发生拓扑相变，由平庸带绝缘体转变为的拓扑绝缘体。不同于发生拓扑相变的传统蜂窝状二维材料在K点能隙闭合，应变单层在临界双轴应变下于M点变为无隙。能带反转导致费米能级附近宇称的切换，从而引发拓扑相变。这种新颖的单层在微电子领域具有潜在应用价值。
引用
@article{arxiv.2106.16212,
title = {Strain-induced topological phase transition in two-dimensional platinum ditelluride},
author = {Jiesen Li and Wanxing Lin and D. X. Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.16212},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 6 figures