通过单轴应变切换2D材料的拓扑状态
强关联电子
2025-09-05 v1
摘要
在拓扑材料中，无耗散边缘电流由bulk 反向能带结构和能隙保护，抵御局部缺陷散射。我们提出大型单轴应变可有效将2D Chern 绝缘体切换为拓扑平凡态。进一步，我们建议，受应变和未受应变区域之间的边界可作为无耗散电流流动的新边界。我们使用密度泛函理论（DFT）计算演示了单层 MnBi2S2T2 能带结构的应变可调性以及 Chern 数的切换。我们组合单轴和双轴应变结果，绘制出应变调谐的拓扑相图。
引用
@article{arxiv.2509.03854,
title = {Switching topological states via uniaxial strain in 2D materials},
author = {Joshua J. Sanchez and Raagya Aurora and Daniel Bennett and Daniel T. Larson and Efthimios Kaxiras and Riccardo Comin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.03854},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 4 figures