外压驱动的 Weyl 半金属 SrSi$_{2}$ 中 Weyl-拓扑绝缘体相变

利用基于 DFT 的第一性原理计算，我们展示了通过外部单轴应变调控 Weyl 半金属 SrSi$_{2}$ 的电子结构。单轴应变促使沿 $\Gamma$-X 方向带隙打开，以及随后 Si $p$ 与 Sr $d$ 轨道间的能带反转。Z$_{2}$ 不变量与表面态确证，单轴应变下的 SrSi$_{2}$ 为强拓扑绝缘体。因此，单轴应变将半金属性 SrSi$_{2}$ 驱动为完全带隙的拓扑绝缘态，呈现半金属到拓扑绝缘体的相变。我们的结果凸显了单轴应变在掌控 SrSi$_{2}$ 中拓扑相变与拓扑态方面的适用性。