应变对外尔半金属的影响

外尔半金属是一类以陈数为拓扑不变量的拓扑半金属材料。这些材料展现出独特的性质，如横向拓扑电流和异常磁电响应，使其成为器件应用的有力候选。本论文利用玩具模型和基于密度泛函理论（DFT）结合Wannier方法的第一性原理计算，探索了应变对外尔半金属电子性质的影响。我们通过调节跃迁积分研究了双带紧束缚玩具模型中的应变效应。为了将模型与真实材料联系起来，我们从DFT结合Wannier函数推导了紧束缚哈密顿量，并在不同应变条件下分析了表面态和态密度。结果表明，拉伸应变和压缩应变均显著改变了TaAs的电子结构，可能诱导拓扑相变。具体而言，沿[100]方向的拉伸应变导致费米弧的转变并最终消失，而压缩应变导致复杂表面态的形成，表明在更高应变水平下新相的出现。