基于Weyl纳米线表面负折射的场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2020-03-13 v1 材料科学
摘要
Weyl半金属的特征在于其体Weyl点——携带拓扑单极电荷的锥形能带接触点——以及跨越材料表面Weyl点之间的Fermi弧态。近来，在理解和测量Weyl半金属物理性质方面取得了显著进展。然而，潜在应用仍相对稀少。在此，我们提出将Weyl半金属纳米线作为场效应晶体管，称为WEYLFET。具体而言，沿纳米线施加梯度栅压，产生有效倾斜开放表面的电场，从而改变不同表面上Fermi弧的相对取向。结果，相邻表面之间可发生完美负折射，并抑制沿线的纵向电导。WEYLFET提供高开关比与低功耗。研究了色散Fermi弧与表面无序带来的不利影响。
引用
@article{arxiv.1908.11102,
title = {Field-Effect Transistor based on Surface Negative Refraction in Weyl Nanowires},
author = {Guangze Chen and Wei Chen and Oded Zilberberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.11102},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures, comments are welcome