非中心对称单质碲中压力诱导的拓扑相变
材料科学
2020-02-19 v1
摘要
近期在理解电子能带拓扑与新兴拓扑性质方面的进展，促使我们重新考量包括单质在内的知名材料的能带结构。从基础与技术角度，通过外场调控此类能带拓扑尤为引人关注。本文报道了通过输运测量探测到的单质碲中从半导体到外尔半金属的压力诱导拓扑相变。Shubnikov-de Haas振荡周期及振荡相位随压力的变化，在理论上预言的拓扑相变压力附近呈现反常。该行为可很好地由压力诱导的能带形变及由此产生的能带交叉效应理解。此外，有效回旋质量在临界压力附近减小，可能反映了无质量线性色散的出现。本结果为在知名化合物中研究电子能带拓扑及通过外场实现拓扑相变铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1909.02266,
title = {Pressure-induced topological phase transition in noncentrosymmetric elemental Tellurium},
author = {Toshiya Ideue and Motoaki Hirayama and Hiroaki Taiko and Takanari Takahashi and Masayuki Murase and Takashi Miyake and Shuichi Murakami and Takao Sasagawa and Yoshihiro Iwasa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.02266},
year = {2020}
}