节线半金属ZrSiS中可能的压力诱导拓扑量子相变
强关联电子
2019-02-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
ZrSiS因其不寻常的电子性质近来备受关注：近乎完美的电子-空穴补偿、巨大且各向异性的磁电阻、费米能级附近的多个狄拉克节点，以及高达2 eV的极宽线性色散范围。我们对ZrSiS单晶进行了一系列高压电阻率测量。Shubnikov-de Haas测量显示出两个不同的振荡频率。对于较小的轨道，我们观测到相位发生0.5的变化，该变化出现在0.16–0.5 GPa之间。这一相位变化伴随着该费米面截面积的突降。我们将此相位变化归因于一种可能的拓扑量子相变。较大轨道的相位表现出π的Berry相位，并在至少2.3 GPa内大致保持不变。更高压力的电阻率测量显示，至少在20 GPa内没有压力诱导超导的证据。
引用
@article{arxiv.1901.07043,
title = {Possible pressure-induced topological quantum phase transition in the nodal line semimetal ZrSiS},
author = {D. VanGennep and T. A. Paul and C. W. Yerger and S. T. Weir and Y. K. Vohra and J. J. Hamlin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.07043},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 3 figures