岩盐族硫族化合物中的压力诱导拓扑相变
材料科学
2015-02-17 v1
摘要
通过全面的理论研究，我们表明外部压力可以诱导具有岩盐结构的 IV-VI 族半导体硫族化合物发生拓扑相变。这些材料满足维持拓扑保护表面态所需的镜面对称性，这与负责拓扑绝缘体中无能隙边缘态的时间反演对称性不同。布里渊区中由镜面对称性关联的高对称点处的能带反转，是由阳离子和阴离子轨道之间的“不对称”杂化引起的。通过推导出最大化这种杂化所需的微观条件，我们确定了岩盐族硫族化合物中易于发生压力和/或合金化诱导拓扑相变的材料。我们的模型分析得到了互补的高级\textit{第一性原理}计算和基于\textit{ab initio}的紧束缚模拟的充分证实。
引用
@article{arxiv.1304.7931,
title = {Pressure-induced Topological Phase Transitions in Rock-salt Chalcogenides},
author = {P. Barone and T. Rauch and D. Di Sante and J. Henk and I. Mertig and S. Picozzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7931},
year = {2015}
}