拓扑边界材料铋的表面电子结构随温度的修饰
材料科学
2019-04-17 v1
摘要
已知单晶铋(Bi)具有非常接近拓扑相变的特殊电子结构。借助角分辨光电子能谱(ARPES)揭示了 Bi 表面态随温度的修饰。低温下，表面态的上支在表面布里渊区(SBZ)的 点附近并入投影体传导带。相反，高温(400 K)下同一支并入投影体价带。此行为可解释为温度驱动的拓扑相变，可能应用于未来的自旋热电器件。我们讨论了引起该相变的可能机制，如热晶格畸变与电子-声子耦合。
引用
@article{arxiv.1902.06374,
title = {Temperature-driven modification of surface electronic structure on bismuth, a topological border material},
author = {Y. Ohtsubo and Y. Yamashita and J. Kishi and S. Ideta and K. Tanaka and H. Yamane and J. E. Rault and P. Le Fèvre and F. Bertran and S. Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.06374},
year = {2019}
}
备注
15 pages with 6 figures (single column)