铋的能带拓扑与二向色性特征
材料科学
2017-10-04 v1
摘要
铋一直是拓扑绝缘体材料发现与发展的关键元素。先前的理论研究指出，Bi 具有拓扑平庸性，并且可以通过与 Sb 合金化转变为拓扑相。然而，近期高分辨率角分辨光电子能谱(ARPES)测量强烈表明纯 Bi 具有拓扑能带结构。为解决这一问题，我们通过 ARPES 和第一性原理计算研究了 Bi 和 Sb 薄膜的能带结构。通过调节紧束缚参数，我们证明了处于拓扑平庸相和非平庸相的 Bi 量子薄膜对表面扰动的响应不同。因此，我们建立了一条通过光谱学方法检测 Bi 能带拓扑的实验途径。此外，我们的圆二向色光电子发射阐明了 Bi(111) 表面丰富的表面态和复杂的自旋结构。
引用
@article{arxiv.1710.00908,
title = {Band Topology and Dichroic Signature of Bismuth},
author = {Guang Bian and Tay-Rong Chang and Xiaoxiong Wang and Hsin Lin and T. Miller and T. -C. Chiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.00908},
year = {2017}
}
备注
6 figures