通过量子限域证明纯铋的非平庸拓扑
材料科学
2016-12-06 v4
摘要
纯 Bi 的拓扑因其极小的（约 10 meV）带隙而存在争议。这里我们对 14-202 个双层 Bi 薄膜系统地进行了高分辨率角分辨光电子能谱测量。利用高质量薄膜，我们成功观测到了能量间隔低至约 10 meV 的量子化体带。对限域波函数相移的详细分析精确确定了表面和体电子结构，明确显示了非平庸拓扑。本结果不仅证明了 Bi 的基本性质，还展示了量子限域方法的能力。
引用
@article{arxiv.1605.03531,
title = {Proving Nontrivial Topology of Pure Bismuth by Quantum Confinement},
author = {S. Ito and B. Feng and M. Arita and A. Takayama and R. -Y. Liu and T. Someya and W. -C. Chen and T. Iimori and H. Namatame and M. Taniguchi and C. -M. Cheng and S. -J. Tang and F. Komori and K. Kobayashi and T. -C. Chiang and I. Matsuda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.03531},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 5 figures