过渡金属晶界处铋薄膜的第一性原理研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1 材料科学
摘要
近期实验表明，Bi 杂质会偏析形成 Ni 和 Cu 晶界上的双层薄膜，但在 Fe 中不发生偏析。为解释这些现象，我们利用密度泛函理论研究了过渡金属 (TM) 3(111) 和 5(012) 晶界 (GBs) 上 Bi 薄膜的总能量。我们的结果与观测到的稳定性一致。我们提出了一个预测 Ni 晶界处 Bi 双层稳定性的模型，该模型表明 Bi 双层在 (111) 扭转重合位置点阵 (CSL) 晶界上不稳定，但在大多数 (100) 扭转 CSL 晶界上稳定。我们研究了 Bi 与 TM 之间的相互作用和成键特性，基于轨道局域化和磁性解释了不同 TM 之间的差异。
引用
@article{arxiv.1312.3362,
title = {First Principles Study of Bismuth Films at Transition Metal Grain Boundaries},
author = {Qin Gao and Michael Widom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3362},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 5 figures, including supplementary material