铋纳米结构的电子性质
材料科学
2022-08-29 v2
摘要
本文基于第一性原理研究了用氢和氧化物覆盖层对薄 Bi(1 1 1) 膜进行钝化。考虑与终止相关的晶体结构变化，我们展示了能带与态密度如何受到影响。在备受讨论的块体材料的半金属—半导体转变与能带拓扑背景下，我们考虑了整个布里渊区中的限域效应，并通过 GW 近似纳入多体相互作用，从而超越了标准密度泛函理论。未终止膜的导电性通过玻尔兹曼输运方程并使用简单的常数弛豫时间近似计算，并与已提出双通道模型的实验观测进行比较。
引用
@article{arxiv.2104.07998,
title = {Electronic properties of bismuth nanostructures},
author = {Christian König and James C. Greer and Stephen Fahy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.07998},
year = {2022}
}