外延超薄铋(111)薄膜中的反演对称性破缺
材料科学
2025-04-22 v3
摘要
铋(Bi)薄膜在自旋电子器件和拓扑一维边缘输运方面具有潜力。我们在InSb (111)B衬底上生长了大面积高质量的(111)晶向铋超薄薄膜。强烈的薄膜-衬底相互作用以外延方式稳定了(111)取向并导致反演对称性破缺。我们解决了长期以来关于铋的Z_2拓扑归属的争议，并表明其表面态是拓扑平庸的。我们的结果表明，界面键阻止了自由-standing铋层所预言的半金属到半导体的转变，凸显了在二维材料中受控功能化与表面钝化的重要性。
引用
@article{arxiv.2302.00803,
title = {Inversion Symmetry Breaking in Epitaxial Ultrathin Bi (111) Films},
author = {Hadass S. Inbar and Muhammad Zubair and Jason T. Dong and Aaron N Engel and Connor P. Dempsey and Yu Hao Chang and Shinichi Nishihaya and Shoaib Khalid and Alexei V. Fedorov and Anderson Janotti and Chris J. Palmstrøm},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.00803},
year = {2025}
}