具有分形表面结构的InSb(111)B上二维拓扑材料Bi的生长
材料科学
2023-01-02 v1
摘要
铋（Bi）原子层是已知的二维拓扑材料，其电子结构和拓扑序随堆叠层数不同而多样。最近有报道称，在半导体衬底InSb(111)B上生长的几层Bi在表面呈现谢尔宾斯基三角形（ST）分形图案。本工作中，我们在InSb(111)B上生长了Bi层，并追踪了Bi的原子与电子结构的演化。利用反射高能电子衍射和芯能级光电子能谱监测表面原子结构与生长模式。结果表明，ST相Bi的单层生长于InSb(111)B上，随后的Bi沉积导致逐层生长直至名义上4个原子层。角分辨光电子能谱观察到的扩散能带色散和量子阱态与小的表面域以及即使在逐层生长区域中厚度的变化一致。进一步的Bi蒸发使生长模式转变为三维岛状形成。所揭示的Bi在InSb(111)B上的生长行为将为研究准周期二维原子层的二维拓扑电子结构提供新的有趣平台。
引用
@article{arxiv.2212.14493,
title = {Growth of 2D topological material Bi on InSb(111)B with fractal surface structures},
author = {Yoshiyuki Ohtsubo and Takuto Nakamura and Shin-ichi Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.14493},
year = {2023}
}
备注
12 pages, 3 figures