InSbBi 薄膜从 Stranski Krastanov 生长模式向步骤流生长模式的表面形貌演化
材料科学
2026-02-13 v2
摘要
将稀释浓度的铋（Bi）掺入传统 III V 合金可显著降低带隙能量，使 InSbBi 成为因其小带隙（<0.17 eV）而适用于长波段红外光探测传感器的有前景的材料。此外，InSbBi 也可作为强自旋轨道耦合平台，用于自旋动力学和量子现象。尽管存在前景，但 InSbBi 合金的材料质量仍滞后于传统 III V 半导体，其主要原因是将 Bi 掺入 InSb 并生产含不同 Bi 配比的高品质 InSbBi 面临重大挑战。本研究通过开发一种生长平滑 InSbBi 薄膜的方法，可通过动态调整 Sb flux 并严格控制生长温度与 Bi flux 之间的相互作用，将 Bi 掺入率调控至最高可达 1.81%。该工作为 InSbBi 薄膜在光探测、自旋电子学和量子技术中的高品质应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2503.11831,
title = {Evolution of surface morphology from Stranski Krastanov growth mode to step flow growth mode in InSbBi thin films},
author = {Chandima Kasun Edirisinghe and Anuradha Wijesinghe and Anjali Rathore and Pradip Adhikari and Christopher Rouleau and Joon Sue Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.11831},
year = {2026}
}
备注
21 pages, 6 figures