GaSbBi 合金与异质结构：制备与性质
材料科学
2019-10-25 v1
摘要
稀铋（Bi）III-V 合金因具有带隙减小和自旋轨道分裂的特性，近来备受关注。将 Bi 掺入基于锑化物的 III-V 半导体中，对于开发中红外波段（2-5 m）工作的新型光电子器件极具吸引力。然而，由于 Bi 原子尺寸较大，其不易掺入 III-V 合金，因此 III-V 稀铋化物的外延生长极具挑战性。本专著章节介绍了 GaSbBi 合金与异质结构在外延生长与表征方面的最新进展。
引用
@article{arxiv.1910.11210,
title = {GaSbBi alloys and heterostructures: fabrication and properties},
author = {O. Delorme and L. Cerutti and R. Kudrawiec and Esperanza Luna and J. Kopaczek and M. Gladysiewicz and A. Trampert and E. Tournié and J. -B. Rodriguez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.11210},
year = {2019}
}