利用低成本动态氢化物气相外延实现基于 III-V 族的光电子器件
应用物理
2018-12-21 v2 材料科学
摘要
出于性能与成本等多方面的原因，硅在许多半导体器件应用中占据主导地位。与硅相比，III-V 族材料具有更优的性能，但由于缺乏低成本、高质量的生产技术，目前它们仅用于高价值或利基市场。在此我们展示了利用氢化物气相外延合成 III-V 族材料的一项进展，它有可能将 III-V 族半导体沉积成本降低数个数量级，同时保持必需的光电子材料质量，使基于 III-V 族的技术能够超越 Si。我们通过探讨 III-V 族在地面光伏这一高度成本受限市场中的使用来说明该进展的影响。低成本 III-V 族沉积技术的出现将使 III-V 族电子与光电子器件及其带来的所有益处渗透到现代社会中。
引用
@article{arxiv.1809.10754,
title = {Enabling III-V-based optoelectronics with low-cost dynamic hydride vapor phase epitaxy},
author = {John Simon and Kevin L. Schulte and Kelsey Horowitz and Timothy Remo and David L. Young and Aaron J. Ptak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.10754},
year = {2018}
}
备注
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