硅表面覆以纳米结构的氢化物挥发相生长制备 GaN
材料科学
2016-05-25 v1
摘要
采用两步法在硅亚基上生长数十微米厚的 GaN 薄膜。该亚基表面覆盖有 AlN 层和由等离子体辅助分子束外延生长的 GaN 纳米结构。在低温（low-T）HVPE 步骤中，形成堆积错位（SF），其在阴极光致发光图像的横截面图中表现为distinct 的发光线和条纹状特征。这些阴极光致发光特征有助于理解生长过程。在随后的高温（high-T）步骤中，SF 消失，薄膜的发光主要由捐赠体束缚激子主导。对于包含薄 AlN 缓冲层和 GaN 纳米结构的模板，不会观察到硅被掺入由 HVPE 生长的 GaN 中。此外，生长模式取决于 AlN/GaN 模板的具体结构，其中一种情况下，外延由缓慢生长的棱面主导；另一种情况下，外延直接沿 c 轴进行。
引用
@article{arxiv.1605.03089,
title = {Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN on Silicon Covered by Nanostructures},
author = {U. Jahn and M. Musolino and J. Lähnemann and P. Dogan and S. Fernández Garrido and J. F. Wang and K. Xu and D. Cai and L. F. Bian and X. J. Gong and H. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.03089},
year = {2016}
}
备注
19 pages, 11 figures