采用碳缓冲层通过 HVPE 制备自支撑 2 英寸体 GaN 晶体
应用物理
2019-04-18 v2 材料科学
摘要
通过在带有碳缓冲层的蓝宝石衬底上进行氢化物气相外延，获得了厚度 365 m、直径 50 mm 的自支撑体氮化镓层。碳缓冲层通过甲烷的热分解在同一工艺中随体 GaN 层生长原位沉积。生长在碳缓冲层上的体 GaN 层在生长后冷却过程中自分离于蓝宝石衬底。位错密度为 cm。(0002) X 射线摇摆曲线半高宽为 164 arcsec。
引用
@article{arxiv.1902.04672,
title = {Free-standing 2-inch bulk GaN crystal fabrication by HVPE using a carbon buffer layer},
author = {Vladislav Voronenkov and Andrey Leonidov and Natalia Bochkareva and Ruslan Gorbunov and Philippe Latyshev and Yuri Lelikov and Viktor Kogotkov and Andrey Zubrilov and Yuri Shreter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.04672},
year = {2019}
}