具有 $\alpha$-Cr$_2$O$_3$ 缓冲层的蓝宝石衬底上刚玉结构 $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ 的 HVPE 生长

S. I. Stepanov; V. I. Nikolaev; A. V. Almaev; A. I. Pechnikov; M. P. Scheglov; A. V. Chikiryaka; B. O. Kushnarev

具有 $\alpha$-Cr$_2$O$_3$ 缓冲层的蓝宝石衬底上刚玉结构 $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ 的 HVPE 生长

应用物理 2021-06-21 v1 材料科学

作者: S. I. Stepanov , V. I. Nikolaev , A. V. Almaev , A. I. Pechnikov , M. P. Scheglov , A. V. Chikiryaka , B. O. Kushnarev

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摘要

通过 HVPE 在 (0001) 蓝宝石衬底上生长了氧化镓薄膜，衬底带或不带由 RF 磁控溅射制备的 $\alpha$ -Cr $_2$ O $_3$ 缓冲层。在裸蓝宝石衬底上沉积导致 $\alpha$ -Ga $_2$ O $_3$ 与 $\epsilon$ -Ga $_2$ O $_3$ 相混合，位错密度约为 $2\cdot10^{10}$ cm $^{-2}$ 。插入 $\alpha$ -Ga $_2$ O $_3$ 缓冲层后得到纯相 $\alpha$ -Ga $_2$ O $_3$ 薄膜，且位错密度降低四倍至 $5 \cdot 10^9$ cm $^{-2}$ 。

关键词

HVPE $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ 蓝宝石衬底 $\alpha$-Cr$_2$O$_3$ 缓冲层位错密度

引用

@article{arxiv.2106.09583,
  title  = {HVPE growth of corundum-structured $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ on sapphire substrates with $\alpha$-Cr$_2$O$_3$ buffer layer},
  author = {S. I. Stepanov and V. I. Nikolaev and A. V. Almaev and A. I. Pechnikov and M. P. Scheglov and A. V. Chikiryaka and B. O. Kushnarev},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2106.09583},
  year   = {2021}
}

备注

7 pages, 1 figure

具有 $\alpha$-Cr$_2$O$_3$ 缓冲层的蓝宝石衬底上刚玉结构 $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ 的 HVPE 生长

摘要

关键词

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