用于体块 GaN 生长的水合物气相外延反应器
应用物理
2019-12-24 v1 材料科学
摘要
研制了一种用于生长直径 50 mm 体块 GaN 晶体的 HVPE 反应器。采用具有滞止点流的轴对称垂直气体注入器,实现了 1% 的生长速率不均匀性。反应器热区使用耐化学腐蚀的难熔材料替代石英。开发了高容量外部镓前驱体源,用于体块 GaN 层的不间断生长。为实现生长工艺的可重复性,采用了装载锁真空室与干式原位生长室清洗。利用该反应器生长出了直径 50 mm 的自支撑 GaN 晶体。
引用
@article{arxiv.1912.11010,
title = {Hydride Vapor-Phase Epitaxy Reactor for Bulk GaN Growth},
author = {Vladislav Voronenkov and Natalia Bochkareva and Andrey Zubrilov and Yuri Lelikov and Ruslan Gorbunov and Philipp Latyshev and Yuri Shreter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.11010},
year = {2019}
}