通过选择性生长实现 GaN 微棱锥与薄片的高均匀性
光学
2026-04-02 v2 材料科学
摘要
通过选择性生长制备均匀的 GaN 微棱锥与薄片是推进 III-nitride 器件技术、特别是微发光二极管应用的关键步骤。本工作考察了通过金有机化学气相沉积（MOCVD）生长微棱锥和微薄片形貌非均匀性的来源。我们观察到，直接的单步生长方法导致数组 across 区域的生长速率显著不均匀。为阐明此问题，我们检查导致非均匀性的机制，并探索旨在减轻这些效应的工艺改进。基于这些见解，我们提出了一种受控的多步骤生长策略，将顺序生长和热处理阶段相结合。该方法证明可提高表面形貌和结构规则性。该工作为下一代光电子器件的可扩展高精度 GaN 微结构制造做出了贡献。
引用
@article{arxiv.2510.19697,
title = {High Uniformity GaN Micro-pyramids and Platelets by Selective Area Growth},
author = {Changhao Li and Vitaly Z. Zubialevich and Peter J. Parbrook and Brian Corbett and Zhi Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.19697},
year = {2026}
}