III-V族纳米线的选择性区域生长速率
材料科学
2021-09-08 v2
摘要
半导体的选择性区域生长（SAG）是一种可扩展的制造栅控量子平台的方法。本通讯报道了控制SAG纳米线（NW）阵列生长速率的吸附原子扩散、并入与脱附机制。我们提出一个考虑两组参数的晶体生长速率模型：晶体生长控制参数与设计参数。以GaAs和InGaAs SAG NW为平台，我们展示了NW间距、宽度与取向等设计参数对生长速率的影响。我们证明，通过改变控制参数（即衬底温度与束流通量），在SAG选择性窗口中可存在源、平衡与汇三种生长模式。利用该模型，我们展示了可通过调节设计参数来补偿不均匀的生长速率。
引用
@article{arxiv.2106.10366,
title = {Selective Area Growth Rates of III-V Nanowires},
author = {Martin Espiñeira Cachaza and Anna Wulff Christensen and Daria Beznasyuk and Tobias Særkjær and Morten Hannibal Madsen and Rawa Tanta and Gunjan Nagda and Sergej Schuwalow and Peter Krogstrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.10366},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 4 figures. Supplementary information is at the end of the document