GaAs 纳米柱中 InGaAs 插入层的合金组分对选择性区域图案几何形状的依赖性
材料科学
2013-05-16 v1
摘要
通过无催化剂选择性区域外延 (SAE) 利用 MOCVD 生长了具有 150 nm - 200 nm 长轴向 InGaAs 插入层的 GaAs 纳米柱。室温光致发光 (PL) 测定的 InGaAs 区域合金组分关键取决于选择性区域图案几何形状的间距和直径。PL 发射随图案几何形状的变化范围从 1.0 \{mu}m 到 1.25 \{mu}m，对应于 In 与 Ga 的比率从 0.15 到 > 0.3。这种 In 富集现象归因于 In 和 Ga Incorporation rate 随图案依赖性发生变化。针对每种图案间距计算了 Ga 和 In 吸附原子的捕获系数。随着间距减小，数据揭示了一种协同效应（与纳米柱密度相关，可提高生长速率）与对可用材料的竞争（限制生长速率）之间的博弈。Ga 对这两种效应更为敏感，从而导致了观察到的合金组分变化。
引用
@article{arxiv.1305.3581,
title = {The Dependence of Alloy Composition of InGaAs Inserts in GaAs Nanopillars on Selective-Area Pattern Geometry},
author = {Joshua Shapiro and Adam C. Scofield and Andrew Lin and Nicholas Benzoni and Giacomo Mariani and Diana L. Huffaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.3581},
year = {2013}
}