分子束外延法实现位置可控的自催化生长GaAs纳米线
介观与纳米尺度物理
2010-10-06 v2
摘要
采用自催化、镓辅助生长技术，通过分子束外延法生长GaAs纳米线。通过在SiO2层上纳米图案化孔径为85 nm、孔间距在200 nm至2 μm之间变化的孔阵列，实现了位置控制。镓液滴优先在刻蚀孔处形成，作为纳米线生长的催化剂。纳米线具有六边形横截面，{110}侧晶面，且主要以闪锌矿结构结晶。纳米线生长速率的间距依赖性表明，对于大孔间距，III/V比向富As条件变化，从而抑制了纳米线生长。
引用
@article{arxiv.1006.4060,
title = {Position controlled self-catalyzed growth of GaAs nanowires by molecular beam epitaxy},
author = {Benedikt Bauer and Andreas Rudolph and Marcello Soda and Anna Fontcuberta i Morral and Josef Zweck and Dieter Schuh and Elisabeth Reiger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.4060},
year = {2010}
}
备注
9 pages, 4 figures