在自辅助 GaAs 纳米线上通过分子束外延生长的六方锗
材料科学
2021-10-11 v1
摘要
六方 IV 族材料如硅和锗，有望在未来光子技术的发展中展现出卓越的光电特性。然而，迄今为止，在气-液-固方法中制备六方 IV 族半导体均使用金作为催化剂。在本快报中，我们展示了利用分子束外延在自辅助 GaAs 纳米线上合成六方 Ge。通过精确调控 Ga 与 As 分子束流，我们在生长过程中选择了 GaAs 纳米线（NWs）的晶相，即立方或六方。获得了长度为 500 nm、结构质量高且无明显缺陷的六方 Ge 段，并利用扫描透射电子显微镜表明锗保持了芯部的晶相。最后，X 射线光电子能谱揭示 Ge 中强烈掺入了 As。本研究展示了在无 Au 方法中、集成于硅衬底上的首次六方 Ge 生长。
关键词
引用
@article{arxiv.2110.03955,
title = {Hexagonal germanium grown by molecular beam epitaxy on self-assisted GaAs nanowires},
author = {I. Dudko and T. Dursap and A. D. Lamirand and C. Botella and P. Regreny and A. Danescu and S. Brottet and M. Bugnet and S. Walia and N. Chauvin and J. Penuelas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.03955},
year = {2021}
}