分子束外延法生长超掺杂 Ge 中的超导性
介观与纳米尺度物理
2023-09-06 v2 超导电性
摘要
超导锗薄膜是一种引人关注的材料,可能在低温电子学与量子比特等领域中得到应用。近来,利用离子注入对 Ga 掺杂 Ge 进行超掺杂取得了很大进展。薄膜生长具有优势,可允许掺杂与未掺杂 Ge 薄膜的同质外延,为垂直约瑟夫森结提供了可能。在此,我们展示了对一层超掺杂超导锗薄膜通过分子束外延生长的研究。我们观察到一种脆弱的超导相,它对工艺条件极为敏感并易于发生相分离,形成纯镓金属的渗流网络。通过温度控制抑制相分离,我们发现了一种独特的超导相,其看似与 underlying Ge 衬底相干。
引用
@article{arxiv.2305.04610,
title = {Superconductivity in hyperdoped Ge by molecular beam epitaxy},
author = {Patrick J. Strohbeen and Aurelia M. Brook and Wendy L. Sarney and Javad Shabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.04610},
year = {2023}
}